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标题: 教程：什么叫SPD？如何优化用好你的内存？ [打印本页]

作者: bobwu 时间: 2006-1-23 21:26 标题: 教程：什么叫SPD？如何优化用好你的内存？

● 影响内存性能的两个参数：频率与参数
内存关键的两个频率与参数，在这里我们可以形象的比喻，为拉力赛制造的汽车可以跑得超快，但无法像F1赛车一样灵活。同样地，F1赛车在拐角处是优秀的，但在沙漠中将被拉下，普通内存频率与参数很难同时满足。
● 什么是SPD？
　　SPD（Serial Presence Detect，串行存在检测）是一颗8针的EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦写可编程只读存储器）芯片。它一般位于内存条正面的右侧（如图1），采用SOIC封装形式，容量为256字节（Byte）。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存的芯片及模组厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际性能写入到ROM芯片中。
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SPD的作用是什么？
　　启动计算机后，主板BIOS就会读取SPD中的信息，主板北桥芯片组就会根据这些参数信息来自动配置相应的内存工作时序与控制寄存器，从而可以充分发挥内存条的性能。上述情况实现的前提条件是在BIOS设置界面中，将内存设置选项设为“By SPD”。当主板从内存条中不能检测到SPD信息时，它就只能提供一个较为保守的配置。
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从某种意义上来说，SPD芯片是识别内存品牌的一个重要标志。如果SPD内的参数值设置得不合理，不但不能起到优化内存的作用，反而还会引起系统工作不稳定，甚至死机。因此，很多普通内存或兼容内存厂商为了避免兼容性问题，一般都将SPD中的内存工作参数设置得较为保守，从而限制了内存性能的充分发挥。更有甚者，一些不法厂商通过专门的读写设备去更改SPD信息，以骗过计算机的检测，得出与实际不一致的数据，从而欺骗消费者。
● 内存各项参数优化详解：
参数优化的历史可以追溯到SDRAM时代。在那个年代，大家追求的只有CL值，CL＝2就是当时的参数优化目标。到了DDR年代，对于参数的描述变成了4个值，例如：2-2-2-5。但这4个数字所代表的含义到底是什么？简单来说就是CL-tRCD-tRP-tRAS，这个缩写的全程和中文名称如下：
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一般来说，影响内存性能高低的因素主要是以下两点，一是内存工作频率过低，无法和CPU同步运行。二是内存传输数据时的延迟时间过长，限制了内存的数据存取速度。因此，只要对主板BIOS进行设置，修改SPD值，就可以使内存性能得到进一步的优化。
　　1.提高内存工作频率
　　启动计算机，进入主板BIOS设置（这里以Award BIOS、P4系统为例）中“Advanced Chipset Feature”界面，选择“Frequence/Voltage Control”，可以看到“CPU

RAM Clock Ratio”中显示的内容就是CPU外频对内存的频率比例。
　　注：默认设置为“SPD”，即“自动侦测模式”。在SPD模式下，系统自动从内存的SPD芯片中获取信息，所以理论上说，此时内存的工作状态是最稳定的。
　　如果想超频内存，就需要手动设置CPU与内存的工作频率比例来更好地调节与SPD的配合。比如：533MHz FSB的P4外频为133MHz，要将DDR333内存超频到200MHz外频使用，那么就需要选择“2∶3”的比值。如果要让DDR266内存超频到DDR333，无疑就要选择“3∶4”。
　　如果要保证调节后的稳定性，有时需要在BIOS中手动提高内存的工作电压。方法是：选择“Add Voltage”，然后进行调节。切记：在提高内存工作电压的时候，要循序渐进，切勿一次提高过多而损坏内存。
　　2.调整内存延迟时间
　　我们知道，内存总延迟时间＝内存时钟周期×CL数值＋数据存取时间（tAC值），因此，只要在BIOS中修改内存的相应参数值，就可以提升内存的性能。下面，我们就进入“Advanced Chipset Feature”设置界面进行说明：
　　（1）修改CAS延迟时间（CL值）。它表示内存进行读写操作前，列地址控制器的等待时间。CAS参数选项为“CAS Latency Time”，数值选择有2.、2.5或者3，如果内存品质较高，可以将数值设为2。
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图表显示了CAS2，CAS2.5和CAS3延时的时间选择（例如标记了CL=2的就是CAS2）。注意那些指出了时钟信号的上升或下降的垂直虚线，因为这是双精度数据RAM，每个“时间单位”有两个这样的点。
CAS Latency是读取命令的送出和输出数据的第一个块有效之间的延迟。CAS Latency以时钟周期来度量。在三个例子的最后一个里，在T0（Time=0）送出的读取命令直到T3（Time=3）才生效。
建议：较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低。反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高稳定性。
我们能够直观的看到CL值变化，对延迟的影响。虽说在单周期内的影响并不大，但在实际使用时，每秒要400次以上的周期循环，这种延迟就很明显了。
（2）修改tRCD（（RAS-to-CAS Delay）值。它表示内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS To CAS Delay”，数值选择有2、3等。同样是越小越好。
建议：对于延迟时间，当然是数值越小，性能越好。
（3）修改tRP（RAS Precharge Time）值。它表示内存行地址控制器预充电时间，其参数选项为“Active to Precharge Delay”，数值选择有2、3等，参数越小说明内存读写速度就越快。
建议：tRP值越低，预充电参数越小，则内存读写速度就越快。
（4）修改tRAS（RAS Active Time）值。它表示内存行地址选中前的延迟时间。其参数选项为“DRAM RAS Precharge”，数值选择有5、6、7等。数字越小，延迟时间越短。
建议：调整这个参数需要结合具体情况而定，推荐参数选项有5，6或者7这3个。大多数情况还要结合主板和CPU情况，并不是说越大或越小就越好。
（5）Command Rate
K8平台中的“1T、2T”，全名“首命令延迟”，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR内存在寻址时，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。
建议：这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。在调试时可以先设置为1T，假若不稳定再采用2T设置。
提高内存频率就是使每秒内循环周期完成的次数增多，加大数据的吞吐量，也就是常说的增加内存带宽。对内存进行超频不像CPU那样简单，最主要的问题是内存颗粒选择问题。

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